
一直有傳聞指OpenAI的CEO奧特曼想在AI領(lǐng)域玩票兒大的,開設(shè)一家新公司開發(fā)和生產(chǎn)新的AI芯片。
近日調(diào)研機(jī)構(gòu)The Information透露,OpenAI一直與包括博通(AVGO.US)在內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)廠商就開發(fā)新芯片進(jìn)行商討,并暗示這家AI初創(chuàng)公司尋求脫離對(duì)英偉達(dá)(NVDA.US)的依賴,培育自己的供應(yīng)鏈。
據(jù)相關(guān)報(bào)道,OpenAI與博通之間的商討聚焦于博通在OpenAI新芯片開發(fā)中的潛在角色,當(dāng)前這一討論尚處于初步階段。對(duì)于此事,博通方面尚未發(fā)表任何評(píng)論。
除了OpenAI之外,微軟(MSFT.US)及其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手谷歌(GOOG.US)以及谷歌和亞馬遜(AMZN.US)都參與投資的Anthropic等人工智能公司,目前均依賴于英偉達(dá)的AI芯片來(lái)訓(xùn)練和運(yùn)行大模型。但是英偉達(dá)的AI芯片造價(jià)昂貴,而且供應(yīng)短缺,這或激發(fā)了各路發(fā)展AI的科技公司尋找其他辦法。
超微半導(dǎo)體(AMD.US)和英特爾(INTC.US)均陸續(xù)推出自己的AI芯片,以把握這個(gè)需求契機(jī),但它們的量產(chǎn)時(shí)間表仍落后,難以滿足這些科技巨企搶先發(fā)展的要求。
這正突顯出當(dāng)前AI芯片產(chǎn)業(yè)鏈供需缺口擴(kuò)大的境況,那么在這樣的情況下,誰(shuí)最能得益?無(wú)疑是供應(yīng)鏈上游,而這其中,晶圓代工廠臺(tái)積電(TSM.US)首當(dāng)其沖。
臺(tái)積電:很緊缺!真的很緊缺!
剛剛公布2024年第2季業(yè)績(jī)的臺(tái)積電,季度業(yè)績(jī)表現(xiàn)高于其原來(lái)設(shè)定的指標(biāo)。
第2季臺(tái)積電收入(新臺(tái)幣)按季增長(zhǎng)13.6%,按美元計(jì)增長(zhǎng)10.3%,主要因?yàn)槭艿叫袠I(yè)領(lǐng)先的3納米和5納米工藝強(qiáng)勁需求帶動(dòng),部分抵消了智能手機(jī)季節(jié)性需求下降的影響;
第2季臺(tái)積電毛利率按季提升了10個(gè)基點(diǎn),至53.2%,稍微高于其業(yè)績(jī)指引,主要因?yàn)檎w產(chǎn)能使用率高于預(yù)期。
AI芯片,如H100的物料成本主要由三個(gè)部分構(gòu)成:邏輯芯片、HBM存儲(chǔ)芯片、CoWoS封裝,此外還有PCB和其他輔助材料。由于AI芯片對(duì)先進(jìn)制程的要求極高,從量產(chǎn)和技術(shù)能力來(lái)看,主要由臺(tái)積電供應(yīng),此外,CoWos封裝也由臺(tái)積電獨(dú)家提供。
臺(tái)積電的管理層在業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上表示,在過(guò)去三個(gè)月,其發(fā)現(xiàn)AI和高端智能手機(jī)的需求十分強(qiáng)勁,從而帶動(dòng)其先進(jìn)的3納米和5納米工藝在2024年上半年的產(chǎn)能使用率上升,存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)減少7天,至83天,主要因?yàn)镹3晶圓交付量增加。預(yù)計(jì)在2024年將會(huì)是臺(tái)積電強(qiáng)勁增長(zhǎng)的一年。管理層還向上修正了臺(tái)積電的全年業(yè)績(jī)指引,預(yù)計(jì)其2024年收入按美元計(jì)的增幅稍微高于25%。
在被問(wèn)及CoWoS的供求狀況的時(shí)候,魏哲家表示:“我也在嘗試達(dá)到供求平衡,但辦不到,因?yàn)樾枨筇吡,臺(tái)積電已經(jīng)在努力生產(chǎn)以滿足客戶需求,并會(huì)繼續(xù)提產(chǎn),期望能在2025年或2026年能夠達(dá)到平衡。目前的供應(yīng)依然非常緊缺,這種緊張情況可能要到2026年才有望緩解!
鑒于AI投資熱潮所帶來(lái)的技術(shù)革新,臺(tái)積電表示要在技術(shù)上全力追趕。
魏哲家在業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上透露2納米的進(jìn)展,同時(shí)表示會(huì)推出N16,作為其下一個(gè)納米芯片技術(shù)。
魏哲家指出:“AI相關(guān)需求的持續(xù)飆升支持了節(jié)能算力的結(jié)構(gòu)性需求,我們預(yù)計(jì),2納米技術(shù)在頭兩年的產(chǎn)量將高于3納米和5納米技術(shù)!
與N3E相比,2納米技術(shù)在相同功率下可實(shí)現(xiàn)10-15%的速度提升,或在相同速度下可實(shí)現(xiàn)25%-30%的功率提升,芯片密度提高15%以上的全節(jié)點(diǎn)性能和功耗優(yōu)勢(shì)。
管理層透露,N2技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展順利,設(shè)備性能和成品率都在按計(jì)劃或提前完成,并有可能在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),產(chǎn)量爬升狀況或與N3相似。
另外,臺(tái)積電還將推出N2P作為其N2家族的延伸,將增加兩個(gè)功能,可在相同功率下進(jìn)一步提高5%的性能,或者在相同速度下提高5%至10%的功率,同時(shí)支持智能手機(jī)和高性能計(jì)算應(yīng)用,計(jì)劃于2026年下半年量產(chǎn)。
臺(tái)積電的SPR是業(yè)界首個(gè)采用背面觸點(diǎn)方案以保持柵極密度和器件靈活性的電源傳輸解決方案。與N2P相比,N16在相同功率下的速度可提高8%至10%,在相同速度下的功率可提高15%至20%,芯片密度可提高7%至10%。N16最適合用于信號(hào)路由復(fù)雜、功率輸送和工作密集的特定高性能計(jì)算產(chǎn)品。預(yù)計(jì)2024年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
臺(tái)積電相信N2、N2P、N16以及衍生產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固其技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),以把握未來(lái)的發(fā)展機(jī)遇。
對(duì)于緊缺的產(chǎn)能,臺(tái)積電表示正在解決,包括將N5部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)為N2。另外,明年將有兩個(gè)海外晶圓廠投產(chǎn),分別是亞利桑那晶圓廠的一期和熊本晶圓廠的一期。只不過(guò),海外晶圓廠或?qū)?duì)其明年及未來(lái)數(shù)年的毛利率帶來(lái)2~3個(gè)百分點(diǎn)的負(fù)面影響。
總結(jié)
熾熱的投資浪潮不斷吸引資本投入,從而引發(fā)更多的新型AI公司涌現(xiàn),它們依賴AI芯片的賦能。
與此同時(shí),AI發(fā)展不斷有技術(shù)突破的利好消息傳出,例如英偉達(dá)將推出“地表最強(qiáng)AI芯”,以滿足這些終端客戶的需求。
但是,高昂的成本,讓越來(lái)越多的AI公司思考如何通過(guò)建立自己的供應(yīng)體系,來(lái)節(jié)省開支。例如,OpenAI擬通過(guò)自給自足緩解對(duì)英偉達(dá)的依賴。
在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中,英偉達(dá)及其同行在競(jìng)相推出新品以爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額的同時(shí),以及終端客戶為追求成本效益而自行構(gòu)建供應(yīng)鏈時(shí),均不可避免地依賴于臺(tái)積電作為關(guān)鍵的代工合作伙伴。
因此,不論這場(chǎng)AI競(jìng)爭(zhēng)的最終勝負(fù)如何,臺(tái)積電將作為全面獲益的顯著勝者,然而,亦需警惕盛名之下,招致的潛在不確定性風(fēng)險(xiǎn)。